Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys

Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys
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稀GaAsN合金中等电子陷阱的光致发光研究

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Physica Status Solidi (c) (未定)(to be published)
影响因子：
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通讯作者：
H.Yaguchi et al.
H.Yaguchi et al.
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Yuezhen Bin;Atsuko Yamanaka;Qingyun Chen;Ying Xi;Xiaowen Jiang;Masaru Matsuo;H.Yaguchi et al.

文献摘要

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