Power dissipation at MOSFET gate port of class E amplifier

Power dissipation at MOSFET gate port of class E amplifier
复制标题

E 类放大器 MOSFET 栅极端口的功耗

DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
International Conference on Renewable Energy Research and Applications(ICRERA2013)
影响因子：
--
通讯作者：
and Tadashi Suetsugu
and Tadashi Suetsugu
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
Akito Kiri;Mitsuru Sato;Shotaro Kuga;Xiuqin Wei;and Tadashi Suetsugu

文献摘要

相似文献