Nonlocal pseudopotentials in molecular-dynamical density-functional theory: Application to SiO2.
Nonlocal pseudopotentials in molecular-dynamical density-functional theory: Application to SiO2.
复制标题
分子动力学密度泛函理论中的非局域赝势：在 SiO2 中的应用。
DOI：
10.1103/physrevlett.59.1136
复制
发表时间：
1987
影响因子：
8.6
通讯作者：
M. Teter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Douglas C. Allan;M. Teter
二氧化硅是地质学、电子材料工业和玻璃工业的基础。我们利用 Car-Parrinello 型分子动力学方法中的非局域赝势，对 α 方英石的结构和键合进行了从头算全能量最小化研究。电子能量以局域密度近似表示。使用可分离的非局部赝势保留了 M 平面波计算的 O(MlnM) 缩放比例。由此产生的理论计算的最小能量结构与实验非常吻合。
Silicon dioxide is fundamental in geology, in the electronic materials industry, and in the glass industry. We have carried out an ab initio total-energy minimization study of the structure and bonding of alpha cristobalite using nonlocal pseudopotentials in a Car-Parrinello-type molecular-dynamical method. The electronic energy is expressed in the local-density approximation. The use of a separable nonlocal pseudopotential preserves the O(MlnM) scaling of the computation for M plane waves. The resulting theoretically computed minimum-energy structure agrees well with experiment.