Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform
Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform
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硅平台上 GaInAsP LD 直接键合 InP/Si 衬底的退火顺序依赖性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Zhao;M. Sato;K. Shibukawa;S. Ito;K. Agata;and K. Shimomura
