Improved Electrical Properties of ITO-Channel Thin Film Transistor Ferroelectric Gate Insulator

Improved Electrical Properties of ITO-Channel Thin Film Transistor Ferroelectric Gate Insulator
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ITO 沟道薄膜晶体管铁电栅极绝缘体电性能的改进

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
13th International Workshop on Oxide Electronics (WOE13)
影响因子：
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通讯作者：
E.Shin
E.Shin
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
E.Tokumitsu;T.Fujimura;E.Shin

文献摘要

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