Room temperature observation of single-electron tunneling via fullerene quantum dots in a Si-based device structure
Room temperature observation of single-electron tunneling via fullerene quantum dots in a Si-based device structure
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硅基器件结构中富勒烯量子点单电子隧道效应的室温观察
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
早川竜馬
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Tate;W.Nomura;M.Naruse;T.Kawazoe;T.Yatsui;M.Hoga;Y.Ohyagi;Y.Sekine;H.Fujita;M.Ohtsu;早川竜馬;早川竜馬
