Role of shallow impurities and lattice defects in nucleation of electron-hole droplets in Si
Role of shallow impurities and lattice defects in nucleation of electron-hole droplets in Si
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浅层杂质和晶格缺陷在硅中电子空穴液滴成核中的作用
DOI：
10.1016/0038-1098(81)90166-6
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发表时间：
1981
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Nakashima;Y. Shiraki
