Collapse of Anisotropic Hybridization Gap below 20 K in Kondo Semiconductor CeFe2Al10 by Pressure and Magnetic Field
Collapse of Anisotropic Hybridization Gap below 20 K in Kondo Semiconductor CeFe2Al10 by Pressure and Magnetic Field
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压力和磁场作用下近藤半导体 CeFe2Al10 中各向异性杂化能隙在 20 K 以下崩溃
DOI：
10.7566/jpsj.83.084708
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Tanida;M. Nakamura;M. Sera;A. Kondo;K. Kindo;T. Nishioka;and M. Matsumura
