Selective epitaxy of InGaN/GaN multiple quantum wells on GaN side facets
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复制标题
GaN 侧面选择性外延 InGaN/GaN 多量子阱
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zheng, Y. D.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Han, P.;Shi, Y.;Zhang, R.;Zheng, Y. D.
