「イオンモデルによるSnクラスレート半導体BaSGa16Sn30におけるGa分布ゆらぎの解析」
「イオンモデルによるSnクラスレート半導体BaSGa16Sn30におけるGa分布ゆらぎの解析」
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“利用离子模型分析 Sn 包合物半导体 BaSGa16Sn30 中的 Ga 分布波动”
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松本浩一,赤井光治,岸本堅j,栗巣普輝,小柳j,山本節夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kakehi;F. H. Latief and T. Sato;Kenji Takeuchi;松本浩一,赤井光治,岸本堅j,栗巣普輝,小柳j,山本節夫
