MBE growth and properties of GaMnAs with high level of Zn acceptor incorporation
MBE growth and properties of GaMnAs with high level of Zn acceptor incorporation
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高水平 Zn 受体掺入的 GaMnAs 的 MBE 生长和性能
DOI：
10.1002/pssa.200669582
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Uchitomi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Asubar;Shoichro Sato;Y. Jinbo;N. Uchitomi
采用分子束外延技术制备了高Zn掺杂量的GaMnAs外延薄膜。我们的研究结果表明，随着Zn掺入水平的增加，空穴浓度p的增加伴随着居里温度T C的降低和向外延膜性质的金属行为的转变。（© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
GaMnAs epitaxial films with high Zn incorporation level were prepared by molecular beam epitaxy. Our results indicate an increasing hole concentration p accompanied by decreasing Curie temperature T C and transition towards metallic behavior of the epitaxial film properties with increasing level of Zn incorporation. (© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
(Ga.Mn)As/Si异质结构和无衬底(Ga,Mn)As薄膜的磁输运特性和退火效应
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Applied Surface Science 242
影响因子：
--
作者：
S.Sato;M.A.Osman;Y.Jinbo;N.Uchitomi
通讯作者：
N.Uchitomi
影响因子：
3.2
作者：
Lee, S;Chung, SJ;Furdyna, JK
通讯作者：
Furdyna, JK