スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成
スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成
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使用溅射外延方法形成Ge/GeSiSn异质结构
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keiji Tsubaki;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Yasuo Takahashi;Takayoshi Katase;Toshio Kamiya;Masashi Arita;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
