A −188 V 7.2 Ω·mm2, P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate-猫眼课题宝

DOI：

--

发表时间：

--

期刊：

Chinese Physics B

影响因子：

1.7

通讯作者：

中科院分区：

物理与天体物理3区

文献类型：

--

作者：

Wu Li-Juan;Hu Sheng- Dong;Zhang Bo;