InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作
InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作
复制标题
使用 InAs/AlGaSb 异质结构和高介电常数栅极材料的分子束外延生长制造 HFET
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
佐々誠彦
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
森口航平;西坂和一;前元利彦;尾形健一;佐々誠彦
