GaP Homojunction LEDs Fabricated by Dressed-Photon-Phonon-Assisted Annealing
GaP Homojunction LEDs Fabricated by Dressed-Photon-Phonon-Assisted Annealing
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通过修饰光子声子辅助退火制造的 GaP 同质结 LED
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ohtsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.H.Kim;T. Kawazoe;M. Ohtsu
