A.Itoh, M.Saitoh, and M.Asada: "A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transitor on separation-by-implanted-oxygen substrate"Japan. J.Appl.Phys.. vol.39, no.8. 4757-4758 (2000)
A.Itoh, M.Saitoh, and M.Asada: "A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transitor on separation-by-implanted-oxygen substrate"Japan. J.Appl.Phys.. vol.39, no.8. 4757-4758 (2000)
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A.Itoh、M.Saitoh 和 M.Asada：“注入氧分离衬底上的 25 nm 长沟道金属栅极 p 型肖特基源极/漏极金属氧化物半导体场效应晶体管”日本
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