高熵(TiVTaMoW)C陶瓷与不同配副间的摩擦磨损特性
高熵(TiVTaMoW)C陶瓷与不同配副间的摩擦磨损特性
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DOI：
10.14062/j.issn.0454-5648.20220050
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
张永胜
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李继承;陈淑娜;孙秋安;樊恒中;苏云峰;宋俊杰;胡丽天;张永胜
为探究高熵碳化物陶瓷作为耐磨部件在摩擦学领域中的应用前景,以金属碳化物为原料,通过高能球磨和两步热压烧结法制备了一种元素分布均匀、无偏聚和偏析的高熵(TiVTaMoW)C陶瓷。研究了(TiVTaMoW)C与Al_2O_3、SiC和Si_3N_4 3种配副材料在室温及800 ℃条件下的摩擦磨损特性。结果表明:室温条件下,(TiVTaMoW)C与3种配副对摩均表现出优异的摩擦学性能,尤其与SiC对摩具有最低的摩擦系数和磨损率,分别可低至(0.38±0.01)和(1.52±0.36)×10~(-7) mm~3/(N·m)。800 ℃条件下,(TiVTaMoW)C表面氧化严重,磨损明显加剧,磨损率上升至10~(-4) mm~3/(N·m)数量级。高温氧化生成的MoO_3和V_2O_5具有较低剪切强度,摩擦过程转移至配副球接触面上形成转移膜,有效保护了配副材料的磨损。综合比较,SiC作为配副在室温和800 ℃条件下均表现出更优异的摩擦相容性。