Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl_2 Neutral Beam for High-Performance HEMTs
Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl_2 Neutral Beam for High-Performance HEMTs
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使用 Cl_2 中性束进行无损伤 AlGaN/GaN 凹栅蚀刻，实现高性能 HEMT
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Samukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sekhar;T. Kubota;T. Okada;Y. Tamura;C. Y. Lee;J. Ohta;H. Fujioka;S. Samukawa
