Electron Traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs Observed by Drain Current DLTS
Electron Traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs Observed by Drain Current DLTS
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通过漏极电流 DLTS 观察到 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中的电子陷阱
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Okino;Y.Ohno;S.Kishimoto;K.Maezawa;J.Osaka;T.Mizutani
