Quantitative coverage and stability of hydrogen-passivation layers on HF-etched Si(1-x)Ge(x) surfaces
Quantitative coverage and stability of hydrogen-passivation layers on HF-etched Si(1-x)Ge(x) surfaces
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HF蚀刻Si(1-x)Ge(x)表面氢钝化层的定量覆盖和稳定性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Wilde;K.Fukutani;S.Koh;K.Sawano;Y.Shiraki
