Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
复制标题
SiC MOSFET 的电荷收集和单粒子烧毁容限的栅极结构依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Makino;S. Takano;S. Harada;Y. Hijikata;and T. Ohshima
