Loss / Resistance Evaluation of SiC-MOSFET Single-Ended Wireless V2H
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复制标题
SiC-MOSFET 单端无线 V2H 的损耗/电阻评估
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Nakaoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Murakami;H.Omori;S.Ohara;K.Fukuda;H.Michikoshi;N.Kimura;T.Morizane;M.Nakaoka
