Epitaxial growth of Mg x Ca 1−x O on 4H–SiC(0001) and β-Ga 2 O 3 wide band gap semiconductors with atomic layer deposition
Epitaxial growth of Mg x Ca 1−x O on 4H–SiC(0001) and β-Ga 2 O 3 wide band gap semiconductors with atomic layer deposition
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采用原子层沉积在 4H-SiC(0001) 和 β-Ga 2 O 3 宽带隙半导体上外延生长 Mg x Ca 1-x O
DOI：
10.1557/jmr.2019.376
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发表时间：
2020
影响因子：
2.7
通讯作者：
Gordon, Roy G.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lou, Xiabing;Gong, Xian;Kim, Sang Bok;Gordon, Roy G.
