3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子
3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子
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3C-SiC MIS电阻可变非易失性半导体存储器件
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.K. Varshney;Y. Tsuchida;K. Sasaki,K. Saitoh;and M. Koshiba;須田良幸
