High quality heteroepitaxial Ge growth on (100) Si by MBE
High quality heteroepitaxial Ge growth on (100) Si by MBE
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通过 MBE 在 (100) Si 上进行高质量异质外延 Ge 生长
DOI：
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Kohama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Fukuda;Y. Kohama
