Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation
Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation
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大气压VHF等离子体氧化形成低界面态密度的SiO2/Si结构
DOI：
10.1016/j.cap.2012.04.015
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Kakiuchi and K. Yasutake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Zhuo;Y. Sannomiya;K. Goto;T. Yamada;H. Ohmi;H. Kakiuchi and K. Yasutake
