Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD
Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.03.011
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发表时间：
2014-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
Xiaoye Wang;Xiaoguang Yang;W. Du;Ji Haiming;S. Luo;Tao Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaoye Wang;Xiaoguang Yang;W. Du;Ji Haiming;S. Luo;Tao Yang
