Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor
Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor
复制标题
n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs 双异质结场效应晶体管局部栅极边缘照明肖特基光电流的温度依赖性
DOI：
10.7567/1347-4065/ab0c76
复制
发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Sakuma Yoshiki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kawazu Takuya;Noda Takeshi;Sakuma Yoshiki
