深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
申静
中科院分区：
文献类型：
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作者：
周少阳;柯导明;夏丹;王保童;申静
