Method for Back-Annotating Per-Transistor Power Values onto #DIC Layouts to Enable Detailed Thermal Analysis
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将每个晶体管功率值反向标注到的方法
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松本 祐教
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Melamed Samson;居村 史人;青柳 昌宏;仲川 博;菊地 克弥;萩本 有哉;松本 祐教
