Toward the Realization of "Molecular n-Bit Memory": Preparation and Dynamic Redox Behaviors of Novel Electron Donors Containing Multiple Dyrex Units
Toward the Realization of "Molecular n-Bit Memory": Preparation and Dynamic Redox Behaviors of Novel Electron Donors Containing Multiple Dyrex Units
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迈向“分子n位记忆”的实现：含有多个Dyrex单元的新型电子给体的制备及其动态氧化还原行为
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takanori SUZUKI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hitomi TAMAOKI;Ryo KATOONO;Kenshu FUJIWARA;Takanori SUZUKI
