Low temperature nitric acid oxidation of Si (NAOS) for fabrication of gate oxides in LSI and TFT
Low temperature nitric acid oxidation of Si (NAOS) for fabrication of gate oxides in LSI and TFT
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用于 LSI 和 TFT 栅极氧化物制造的 Si 低温硝酸氧化 (NAOS)
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林光
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本佑樹;山野井慶徳;西原寛;米澤徹;蓑田愛;前川俊輔;大島伸司;小堀良浩;H. Kontani;小林光
