Molecular beam epitaxy of ZnO based heterostructures for advanced optoelectronic devices
Molecular beam epitaxy of ZnO based heterostructures for advanced optoelectronic devices
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用于先进光电器件的 ZnO 基异质结构的分子束外延
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kawasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nakahara;S. Akasaka;H. Yuji;K. Tamura;T. Fujii;Y. Nishimoto;D. Takamizu;A. Sasaki;T. Tanabe;A. Kamisawa;H. Amaike;T. Onuma;S. F. Chichibu;M. Nakano;T. Fukumura;A. Tsukazaki;A. Ohtomo;M. Kawasaki
