Si-LVVオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi 2s内殻正孔緩和過程の研究
Si-LVVオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi 2s内殻正孔緩和過程の研究
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Si-LVV俄歇电子-Si 2s光电子符合能谱研究Si 2s核空穴弛豫过程
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中正俊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
平賀健太;新江定憲;兼村瑠威;小柏洋輔;梁瀬虹太朗;高野優作;金山典嗣;大野真也;垣内拓大;所畑成明;関場大一郎;奥平幸司;奥沢誠;間瀬一彦;田中正俊
