Controlling conductivity by quantum well states in ultrathin Bi(111) films
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DOI：
10.1103/physrevb.97.045403
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发表时间：
2018-01
影响因子：
3.7
通讯作者：
P. Kröger;D. Abdelbarey;M. Siemens;D. Lükermann;S. Sologub;H. Pfnür;C. Tegenkamp
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Kröger;D. Abdelbarey;M. Siemens;D. Lükermann;S. Sologub;H. Pfnür;C. Tegenkamp
P. Kröger，1 D. Abdelbarey，1 M.西门子，1 D。Lükermann，1 S.索洛古布，2小时。Pfnür，1，3，* 和C. Tegenkamp 1，3，4，<$1德国汉诺威莱布尼茨大学物理学研究所Appelstraße 2，30167 2乌克兰基辅国家科学院物理研究所Nauky Avenue 46，03028 3德国汉诺威莱布尼茨大学纳米与量子工程实验室Schneiderberg 39，30167 4德国汉诺威物理学研究所切姆尼茨工业大学，Reichenhainer Strasse 70，09126切姆尼茨，德国
P. Kröger,1 D. Abdelbarey,1 M. Siemens,1 D. Lükermann,1 S. Sologub,2 H. Pfnür,1,3,* and C. Tegenkamp1,3,4,† 1Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover, Germany 2Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Nauky Avenue 46, 03028 Kyiv, Ukraine 3Laboratory of Nano and Quantum Engineering (LNQE), Leibniz Universität Hannover, Schneiderberg 39, 30167 Hannover, Germany 4Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz, Reichenhainer Strasse 70, 09126 Chemnitz, Germany