III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線
III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線
复制标题
III-V族氮化物半导体缺陷评估最前沿
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
秩父重英,上殿明良
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
花房宏明; 広瀬信光;笠松章史;三村高志;松井敏明; 須田良幸;野崎 眞次;秩父重英,上殿明良
