Temperature Dependence of Initial Oxide Growth on Si(111)7×7 Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy and Theoretical Calculations
Temperature Dependence of Initial Oxide Growth on Si(111)7×7 Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy and Theoretical Calculations
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通过实时光电子能谱和理论计算研究Si(111)7×7初始氧化物生长的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Teraoka and Yuji Takakuwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Tang;S. Ogawa;A. Yoshigoe;K. Nishimoto;S. Ishidzuka;Y. Teraoka and Yuji Takakuwa
