Demonstration of ALD-TiN Gate FinFET with TDMAT Precursor for WFV Reduction
Demonstration of ALD-TiN Gate FinFET with TDMAT Precursor for WFV Reduction
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使用 TDMAT 前驱体演示 ALD-TiN 栅极 FinFET，以减少 WFV
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tetsuro Hayashida;et al
