K.Yokouchi, T.Araki, T.Nagatomo and O.Omoto: "Epitaxial Growth of GaN Films on Silicon Substrates by MOVPE" Tech.Digest of the 6th In'tl Conf.on silicon Carbide and Related Materials, Kyoto, Japan. TuP-1 (Proceedings to be published). 255-256 (1996)
K.Yokouchi, T.Araki, T.Nagatomo and O.Omoto: "Epitaxial Growth of GaN Films on Silicon Substrates by MOVPE" Tech.Digest of the 6th In'tl Conf.on silicon Carbide and Related Materials, Kyoto, Japan. TuP-1 (Proceedings to be published). 255-256 (1996)
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K.Yokouchi、T.Araki、T.Nagatomo 和 O.Omoto：“通过 MOVPE 在硅衬底上外延生长 GaN 薄膜”第六届国际碳化硅及相关材料会议技术文摘，日本京都。
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