Epitaxial growth of InN film on intermediate oxide buffer layer by RF-MOMBE
Epitaxial growth of InN film on intermediate oxide buffer layer by RF-MOMBE
复制标题
RF-MOMBE 在中间氧化物缓冲层上外延生长 InN 薄膜
DOI：
10.1016/j.diamond.2011.06.006
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发表时间：
2011
影响因子：
4.1
通讯作者：
H. Pan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Kuo;F. Lai;Wei;Woei;C. Hsiao;Hsin;H. Pan
InN 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Yamamoto;H. Miwa;A. Hashimoto
通讯作者：
A. Hashimoto