Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photoemission(IPE): Interfacjal Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)02/Si MOS Structure
Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photoemission(IPE): Interfacjal Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)02/Si MOS Structure
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通过内部光电发射 (IPE) 进行高 k 栅极堆叠的高级表征：Al/Hf(Si)02/Si MOS 结构中的界面偶极子和能带图
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akira Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Julie Widiez;Koji Kita;Tornonori Nishimura;Akira Toriumi
