用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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通讯作者：
徐超
中科院分区：
文献类型：
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作者：
孟坚;高珊;陈军宁;柯导明;孙伟锋;时龙兴;徐超
