Y. Koide, S. Zaima, N. Ohshima and Y. Yasuda: "Initial Stage of Growth of Ge on (100)Si by Gas Sourse Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4." Japanese Journal of Applied Physics, 28, L1690-L1693, 1989.
Y. Koide, S. Zaima, N. Ohshima and Y. Yasuda: "Initial Stage of Growth of Ge on (100)Si by Gas Sourse Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4." Japanese Journal of Applied Physics, 28, L1690-L1693, 1989.
复制标题
Y. Koide、S. Zaima、N. Ohshima 和 Y. Yasuda：“使用 GeH_4 通过气源分子束外延在 (100)Si 上生长 Ge 的初始阶段”。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
