H.Hasegawa, M.Akazawa, K.Matsuzaki, H.Ishii and H.Ohno: "GaAs and In_<0.53>Ga_<0.47>As MIS Structures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE" Jpn.J.Appl.Phys.vol.27, No.12 L2265-L2267(1988).
H.Hasegawa, M.Akazawa, K.Matsuzaki, H.Ishii and H.Ohno: "GaAs and In_<0.53>Ga_<0.47>As MIS Structures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE" Jpn.J.Appl.Phys.vol.27, No.12 L2265-L2267(1988).
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H.Hasekawa、M.Akazawa、K.Matsuzaki、H.Ishii 和 H.Ohno：“GaAs 和 In_<0.53>Ga_<0.47>As MIS 结构，具有通过 MBE 制备的超薄硅伪晶界面控制层”Jpn.J
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