The effect of inserting thin Co_2MnAl layer into the Co_2 MnSi/MgO interface on tunnel magnetoresistance effect
The effect of inserting thin Co_2MnAl layer into the Co_2 MnSi/MgO interface on tunnel magnetoresistance effect
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Co_2MnSi/MgO界面插入Co_2MnAl薄层对隧道磁阻效应的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E.Ozawa;S.Tsunegi;et al.
