Correlating the silicon surface passivation to the nanostructure of low-temperature a-Si:H after rapid thermal annealing
Correlating the silicon surface passivation to the nanostructure of low-temperature a-Si:H after rapid thermal annealing
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将硅表面钝化与快速热退火后低温 a-Si:H 的纳米结构相关联
DOI：
10.1063/1.4994795
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发表时间：
2017
影响因子：
3.2
通讯作者：
W. Kessels
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. Macco;J. Melskens;N. Podraza;K. Arts;C. Pugh;O. Thomas;W. Kessels
利用电感耦合等离子体，在非常低的温度（<50°C）下制备了氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜，以提供晶体硅（C - si）表面钝化。尽管a- si:H体的纳米结构质量有限，但经过快速热退火处理后，显示出惊人的高少数载流子寿命（~ 4 ms）。除了优异的表面钝化水平外，低温方法的主要优点是易于抑制不希望的外延生长。详细研究了a-Si:H纳米结构与退火后a-Si:H/c-Si界面钝化活化之间的关系。这产生了一个结构模型，定性地描述了退火过程中发生在a- si:H薄膜中的不同过程。所提出的实验结果和见解可以证明对进一步开发用于硅异质结太阳能电池的极薄a-Si:H钝化层是有用的。
Using an inductively coupled plasma, hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films have been prepared at very low temperatures (<50 °C) to provide crystalline silicon (c-Si) surface passivation. Despite the limited nanostructural quality of the a-Si:H bulk, a surprisingly high minority carrier lifetime of ∼4 ms is demonstrated after a rapid thermal annealing treatment. Besides the excellent level of surface passivation, the main advantage of the low-temperature approach is the facile suppression of undesired epitaxial growth. The correlation between the a-Si:H nanostructure and the activation of a-Si:H/c-Si interface passivation, upon annealing, has been studied in detail. This yields a structural model that qualitatively describes the different processes that take place in the a-Si:H films during annealing. The presented experimental findings and insights can prove to be useful in the further development of very thin a-Si:H passivation layers for use in silicon heterojunction solar cells.
影响因子：
56.7
作者：
Yoshikawa, Kunta;Kawasaki, Hayato;Yamamoto, Kenji
通讯作者：
Yamamoto, Kenji
影响因子：
3
作者：
Masuko, Keiichiro;Shigematsu, Masato;Okamoto, Shingo
通讯作者：
Okamoto, Shingo
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara
通讯作者：
K. Matsubara