Configuration of a single grown-in dislocation corresponding to one etch pit formed on the surface of CVD homoepitaxial diamond
Configuration of a single grown-in dislocation corresponding to one etch pit formed on the surface of CVD homoepitaxial diamond
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与 CVD 同质外延金刚石表面形成的一个蚀坑相对应的单个生长位错的配置
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.09.030
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发表时间：
2016
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Mokuno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Tsubouchi;Y. Mokuno
