Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices
Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices
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氮化 SiC MOS 器件的可靠性问题
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kobayashi;T. Nakanuma;A. Suzuki;M. Sometani;M. Okamoto;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe
