An Analgtical Physical Model for Short-channel MOSFETs
An Analgtical Physical Model for Short-channel MOSFETs
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短沟道 MOSFET 的解析物理模型
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
于奇等
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杨谟华;于奇等
