歪緩和バリア層に埋め込んだSiドープInAs量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性
歪緩和バリア層に埋め込んだSiドープInAs量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性
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嵌入应变弛豫势垒层的硅掺杂 InAs 量子点中载流子弛豫的激发波长依赖性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
北田貴弘;他
